Никифоров, Александр Иванович
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Список докладов
- Колесников А.В.*, Никифоров А.И.*, Фрицлер К.Б.*, Дерябин А.С.*, Лошкарев И.Д., Соколов Л.В., Певчих К.Э., Чистохин И.Б.
Исследование структурного качества эпитаксиальных пленок германия на кремнии
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Есин М.Ю.*, Дерябин А.С.*, Колесников А.В.*, Никифоров А.И.*
Формирование ступенчатой поверхности Si(100) при росте Si и смачивающего слоя Ge
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия