Двуреченский, Анатолий Васильевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Ван Ю.*, Двуреченский А.В.**, Кацюба А.В.**, Камаев Г.Н.**, Володин В.А.***
Методы радиационного формирования кристаллов CaSi2 в процессе и после эпитаксиального роста CaF2 на подложке Si(111)
*Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
***ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия