Родякина, Екатерина Евгеньевна
Старший научный сотрудник, Кандидат физико-математических наукИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Яблонский А.Н.*, Новиков А.В., Юрасов Д.В.**, Захаров В.Е.***, Шмагин В.Б.***, Перетокин А.В.****, Степихова М.В.*****, Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Морозова Е.Е.***, Дьяков С.А.******, Родякина Е.Е.*******, Смагина Ж.В.*******
Cпектроскопия фото- и электролюминесценции SiGe наноструктур с двумерными фотонными кристаллами
*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
**Институт физики микроструктур РАН - филиал ФИЦ Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН (Нижний Новгород), Россия (д. Афонино), Россия
***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
****Институт физики микроструктур РАН (д. Афонино, Нижегородская область), Россия
*****Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
******Сколтех (Москва), Россия
*******Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия