Назад
Колесников, Алексеей Викторович
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
Есин М.Ю.
*
,
Дерябин А.С.
*
,
Колесников А.В.
*
,
Никифоров А.И.
*
Формирование ступенчатой поверхности Si(100) при росте Si и смачивающего слоя Ge
*
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
К списку участников