Назад
Володин, В. А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
Чжан Ж.
*
,
Тысченко И.Е.
**
,
Гутаковский А.К.
**
,
Вдовин В.И.
**
,
Володин В.А.
**
,
Попов В.П.
**
Ионно-лучевой синтез нанокристаллов InSb на границе раздела Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе: эволюция оптических свойств и деформационные характеристики
*
Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
**
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
К списку участников