Назад
Ван, Ю.
Доклад
Кацюба А.В.
*
,
Ван Ю.
,
Двуреченский А.В.
,
Камаев Г.Н.
,
Володин В.А.
Получение пленок CaSi2 с планарной поверхностью выращенных методом радиационного воздействия на структуру CaF2\Si(111)
*
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
К списку участников