Камаев, Геннадий Николаевич

Старший научный сотрудник, Кандидат физико-математических наук

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71

Список докладов

  1. Ван Ю.*, Двуреченский А.В.**, Кацюба А.В.**, Камаев Г.Н.**, Володин В.А.***
    Методы радиационного формирования кристаллов CaSi2 в процессе и после эпитаксиального роста CaF2 на подложке Si(111)
    *Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ***ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  2. Чэн Ю.*, Камаев Г.Н.**, Попов А.А.***, Володин В.А.****
    Эффекты переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия
    *Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ***ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН (Ярославль), Россия
    ****ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия

К списку участников