Руденко, Константин Васильевич
Зам. директора по научной работе, Доктор физико-математических наукФизико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН
Россия, Москва
Список докладов
- Жанаев Э.Д.*, Антонов В.А.*, Калугин А.П.*, Попов В.П.*, Лукьянова И.Ю.**, Мяконьких A.В., Рогожин А.Е.***, Руденко К.В.****
КНИ нанопроволочные транзисторы до и после химического утончения кремния и его диоксида
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
***Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (Москва), Россия
****Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия - Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Руденко К.В.**, Тысченко И.Е.*, Попов В.П.*
Получение тонких пленок кремния методом анодного окисления
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия - Руденко К.В.*, Антонов В.А.**, Попов В.П.**, Ломов А.А.***, Мяконьких А.В.***
Свойства КНИ и КНС структур с High-K сегнетоэлектриком до и после FA - RTA обработок и утончения кремния термоокислением
*Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
***Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия