Руденко, Константин Васильевич

Зам. директора по научной работе, Доктор физико-математических наук

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН
Россия, Москва

Список докладов

  1. Жанаев Э.Д.*, Антонов В.А.*, Калугин А.П.*, Попов В.П.*, Лукьянова И.Ю.**, Мяконьких A.В., Рогожин А.Е.***, Руденко К.В.****
    КНИ нанопроволочные транзисторы до и после химического утончения кремния и его диоксида
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    ***Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (Москва), Россия
    ****Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
  2. Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Руденко К.В.**, Тысченко И.Е.*, Попов В.П.*
    Получение тонких пленок кремния методом анодного окисления
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
  3. Руденко К.В.*, Антонов В.А.**, Попов В.П.**, Ломов А.А.***, Мяконьких А.В.***
    Свойства КНИ и КНС структур с High-K сегнетоэлектриком до и после FA - RTA обработок и утончения кремния термоокислением
    *Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ***Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия

К списку участников