Попов, Владимир Павлович

Заведующий лабораторией, Доктор физико-математических наук

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71

Список докладов

  1. Антонов В.А., Калугин А.П., Попов В.П.*, Мяконьких A.В., Руденко K.В., Скуратов В.А.**, Скуратов В.А.**, ОКоннелл Ж.***
    Дефекты в кремнии-на-сапфире с прослойкой HfO2:Al2O3 после облучения быстрыми ионами Xe и Bi
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Объединенный институт ядерных исследований (Дубна), Россия
    ***Университет Нельсона Манделы (Саммерстренд), Южно-Африканская Республика
  2. Попов В.П.*, Руденко К.В.**
    Нigh-k КНИ структуры с ультратонкими слоями кремния, оксидов и нитридов металлов для энергоэффективной электроники
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
  3. Руденко К.В.*, Антонов В.А.**, Попов В.П.**, Ломов А.А.***, Мяконьких А.В.***
    Свойства КНИ и КНС структур с High-K сегнетоэлектриком до и после FA - RTA обработок и утончения кремния термоокислением
    *Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ***Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия

К списку участников