Попов, Владимир Павлович

Заведующий лабораторией, Доктор физико-математических наук

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71

Список докладов

  1. Антонов В.А., Калугин А.П., Попов В.П.*, Мяконьких A.В., Руденко K.В., Скуратов В.А.**, Скуратов В.А.**, ОКоннелл Ж.***
    Дефекты в кремнии-на-сапфире с прослойкой HfO2:Al2O3 после облучения быстрыми ионами Xe и Bi
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Объединенный институт ядерных исследований (Дубна), Россия
    ***Университет Нельсона Манделы (Саммерстренд), Южно-Африканская Республика
  2. Жанаев Э.Д.*, Антонов В.А.*, Калугин А.П.*, Попов В.П.*, Лукьянова И.Ю.**, Мяконьких A.В., Рогожин А.Е.***, Руденко К.В.****
    КНИ нанопроволочные транзисторы до и после химического утончения кремния и его диоксида
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    ***Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (Москва), Россия
    ****Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
  3. Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Руденко К.В.**, Тысченко И.Е.*, Попов В.П.*
    Получение тонких пленок кремния методом анодного окисления
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
  4. Руденко К.В.*, Антонов В.А.**, Попов В.П.**, Ломов А.А.***, Мяконьких А.В.***
    Свойства КНИ и КНС структур с High-K сегнетоэлектриком до и после FA - RTA обработок и утончения кремния термоокислением
    *Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ***Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
  5. Тихоненко Ф.В., Антонов В.А., Калугин А.П., Попов В.П.*, Тысченко И.Е., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Тихоненко Ф.В.*
    Стабильность сегнетоэлектрических свойств нанослоев оксидов гафния-циркония с алюминием в МОП транзисторах
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  6. Сы Ч.*, Тысченко И.Е.**, Баталов Р.И.***, Володин В.А.****, Попов В.П.**, Шмелев А.Г., Черкова С.Г.
    Фотолюминесценция в видимом спектральном диапозоне пленок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+
    *Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ***Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Казань), Россия
    ****ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия

К списку участников