Попов, Игорь Владимирович

Студент

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71

Список докладов

  1. Тысченко И.Е.*, Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Спесивцев Е.В.
    Анодное окисление структур кремний-на-изоляторе
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  2. Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Руденко К.В.**, Тысченко И.Е.*, Попов В.П.*
    Получение тонких пленок кремния методом анодного окисления
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия

К списку участников