Антонов, Валентин Андреевич

Ведущий инженер

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71

Список докладов

  1. Тысченко И.Е.*, Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Спесивцев Е.В.
    Анодное окисление структур кремний-на-изоляторе
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  2. Жанаев Э.Д.*, Антонов В.А.*, Калугин А.П.*, Попов В.П.*, Лукьянова И.Ю.**, Мяконьких A.В., Рогожин А.Е.***, Руденко К.В.****
    КНИ нанопроволочные транзисторы до и после химического утончения кремния и его диоксида
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    ***Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (Москва), Россия
    ****Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
  3. Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Руденко К.В.**, Тысченко И.Е.*, Попов В.П.*
    Получение тонких пленок кремния методом анодного окисления
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    **Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
  4. Руденко К.В.*, Антонов В.А.**, Попов В.П.**, Ломов А.А.***, Мяконьких А.В.***
    Свойства КНИ и КНС структур с High-K сегнетоэлектриком до и после FA - RTA обработок и утончения кремния термоокислением
    *Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ***Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия

К списку участников