Гисматулин, Андрей Андреевич
Младший научный сотрудник, Кандидат физико-математических наукИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Гисматулин А.А.*, Камаев Г.Н., Володин В.А.**, Гриценко В.А.*
Механизм транспорта заряда в бесформовочном мемристоре на основе оксинитрида кремния
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия