Кацюба, Алексей Владимирович

Ведущий инженер

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71

Список докладов

  1. Ван Ю.*, Двуреченский А.В.**, Кацюба А.В.**, Камаев Г.Н.**, Володин В.А.***
    Методы радиационного формирования кристаллов CaSi2 в процессе и после эпитаксиального роста CaF2 на подложке Si(111)
    *Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    **Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ***ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  2. Кацюба А.В.*, Ван Ю., Двуреченский А.В., Камаев Г.Н., Володин В.А.
    Получение пленок CaSi2 с планарной поверхностью выращенных методом радиационного воздействия на структуру CaF2\Si(111)
    *Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия

К списку участников