Миронов, А. Ю.
Доклад
- Пономарев С.А.*, Курусь Н.Н., Рогило Д.И.**, Латышев А.В.**, Голяшов В.А., Миронов А.Ю., Милехин А.Г., Щеглов Д.В.
Фазовый переход с температурным гистерезисом в пленках In2Se3/Si(111)
*Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия