Милехин, А. Г.
Список докладов
- Захожев К.Е.*, Рогило Д.И.*, Пономарев С.А.**, Гутаковский А.К.*, Курусь Н.Н., Щеглов Д.В., Милехин А.Г., Латышев А.В.*, Кох К.А.***
Рост SnSe2, инициированный кристаллизацией тонкого аморфного слоя на поверхностях Bi2Se3(0001) и Si(111)
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
***Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН (Новосибирск), Россия
- Пономарев С.А.*, Курусь Н.Н., Рогило Д.И.**, Латышев А.В.**, Голяшов В.А., Миронов А.Ю., Милехин А.Г., Щеглов Д.В.
Фазовый переход с температурным гистерезисом в пленках In2Se3/Si(111)
*Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
К списку участников
