Тихоненко, Федор Вячеславович
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Тихоненко Ф.В., Антонов В.А., Калугин А.П., Попов В.П.*, Тысченко И.Е., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Тихоненко Ф.В.*
Стабильность сегнетоэлектрических свойств нанослоев оксидов гафния-циркония с алюминием в МОП транзисторах
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия