Гутаковский, А. К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Список докладов
- Чжан Ж.*, Тысченко И.Е.**, Гутаковский А.К.**, Вдовин В.И.**, Володин В.А.**, Попов В.П.**
Ионно-лучевой синтез нанокристаллов InSb на границе раздела Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе: эволюция оптических свойств и деформационные характеристики
*Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Вдовин В.И.*, Гутаковский А.К.*, Насимов Д.А.*, Степанов В.Д.**, Пешерова С.М.***, Чуешова А.Г.****, Хорошева М.А.*****, Федина Л.И.******
Структурная диагностика слитков mc-Si и реконструкция дендритного роста при направленной кристаллизации
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАНитут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
***Институт геохимии СО РАН (Иркутск ), Россия
****Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН (Иркутск), Россия
*****Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия
******Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия