Попов, В. П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Список докладов
- Чжан Ж.*, Тысченко И.Е.**, Гутаковский А.К.**, Вдовин В.И.**, Володин В.А.**, Попов В.П.**
Ионно-лучевой синтез нанокристаллов InSb на границе раздела Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе: эволюция оптических свойств и деформационные характеристики
*Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия - Попов В.П.*, Тарков М.С., Тысченко И.Е., Мяконьких А.В., Руденко К.В.
Нigh-k КНИ структуры с ультратонкими слоями кремния, оксидов и нитридов металлов для энергоэффективной электроники
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия