Степанов, Всеволод Дмитриевич
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАНитут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Россия, Новосибирск
Доклад
- Вдовин В.И.*, Гутаковский А.К.*, Насимов Д.А.*, Степанов В.Д.**, Пешерова С.М.***, Чуешова А.Г.****, Хорошева М.А.*****, Федина Л.И.******
Структурная диагностика слитков mc-Si и реконструкция дендритного роста при направленной кристаллизации
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАНитут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
***Институт геохимии СО РАН (Иркутск ), Россия
****Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН (Иркутск), Россия
*****Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия
******Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия