Егоров, В. К.
Доклад
- Ковешников С.В.*, Солтанович О.А.*, Егоров В.К.
Влияние быстродиффундирующих примесей на процессы формирования инверсного слоя в МОП-структурах Al/SiO2/Si
*Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия