XV Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе

Россия, Республика Бурятия, Кабанский район, с. Сухая, с 15 по 20 июля 2024 года

• Информационное сообщение
• Важные даты
• Программный комитет
• Дополнительная информация
• Участники
• Доклады
• Регистрация/Вход

Список докладов

1. Kozlov V.A.^*, Глазов А.Л., Муратиков К.Л.
   Исследование процессов прохождения тепла через поверхности шлифованных и полированных пластин кремния
   ^* Ioffe Institute, PK FID-Tekhnika (Saint-Petersburg), Россия
   
2. Абросимова Н.Д.^*, Большакова В.К.^**, Гаранин А.Г.^***, Бобров А.И., Шоболов Е.Л.^*, Оболенский С.В.^**
   Модифицирование зарядовых свойств диэлектрических слоев в составе полупроводниковых композиций на основе кремния с помощью обработки поверхности в N2 и O2 плазме
   ^*Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (Саров), Россия
   ^**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
   ^***ГОУ ВПО Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (Нижний Новгород), Россия
   
3. Абросимова Н.Д.^*, Пузанов А.С.^**, Дроздов М.Н.^***, Юнин П.А.^***, Оболенский С.В.^****
   Влияние дозы водорода на мгновенную и долговременную релаксацию электрофизических характеристик структур "кремний на изоляторе" после ионизирующих воздействий различной природы
   ^*Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (Саров), Россия
   ^**Российский федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (Саров), Россия
   ^***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
   ^****Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
   
4. Андрианов А.В.^*, Захарьин А.О.^*, Петров А.Г.^*
   Терагерцовая фотолюминесценция в кристаллах кремния
   ^*ФТИ им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
   
5. Аношин О.С.^*
   Получение высокочистого моносилана и тетрахлорида кремния из технического три-хлорсилана
   ^*АО НПП Салют (Нижний Новгород), Россия
   
6. Антонов В.А., Калугин А.П., Попов В.П.^*, Мяконьких A.В., Руденко K.В., Скуратов В.А.^**, Скуратов В.А.^**, ОКоннелл Ж.^***
   Дефекты в кремнии-на-сапфире с прослойкой HfO2:Al2O3 после облучения быстрыми ионами Xe и Bi
   ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
   ^**Объединенный институт ядерных исследований (Дубна), Россия
   ^***Университет Нельсона Манделы (Саммерстренд), Южно-Африканская Республика
   
7. Асеев А.Л.^*, Гейдт П.В.^**
   Кремниевая микроэлектроника: современное состояние и перспективы развития, методы диагностики
   ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
   ^**Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
   
8. Барков К.А.^*, Нестеров Д.Н.^**, Терехов В.А., Домашевская Э.П., Курганский С.И., Ивков С.А., Радина В.Р., Ситников А.В.
   Формирование метастабильной фазы Al3Si в магнетронных и ионно-лучевых пленках Al-Si
   ^*ФГБОУ ВО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
   ^**Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
   
9. Барков К.А.^*, Терехов В.А., Ивков С.А., Чукавин А.И., Голощапов Д.Л., Середин П.В.
   Влияние кислорода на формирование кремний-кислородных тетраэдров в пленках SIPOS
   ^*ФГБОУ ВО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
   
10. Ван Ю.^*, Двуреченский А.В.^**, Кацюба А.В.^**, Камаев Г.Н.^**, Володин В.А.^***
    Методы радиационного формирования кристаллов CaSi2 в процессе и после эпитаксиального роста CaF2 на подложке Si(111)
    ^*Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^***ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
11. Вдовин В.И.^*, Гутаковский А.К.^*, Насимов Д.А.^*, Степанов В.Д.^**, Пешерова С.М.^***, Чуешова А.Г.^****, Хорошева М.А.^*****, Федина Л.И.^******
    Структурная диагностика слитков mc-Si и реконструкция дендритного роста при направленной кристаллизации
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАНитут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^***Институт геохимии СО РАН (Иркутск ), Россия
    ^****Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН (Иркутск), Россия
    ^*****Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия
    ^******Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
    
12. Вдовина Т.Н.^*, Штриплинг Л.О., Пинаева Л.Г., Носков А.С.
    Исследование возможности получения карбида кремния из золошлаковых отходов: влияние углеродного восстановителя
    ^*Омский государственный технический университет (Омск), Россия
    
13. Владимиров В.М.^*, Матвеев С.В.^*, Сергий М.Е.^**, Толстоногов Д.С.^**, Шепов В.Н.^**
    Измерители времени жизни неравновесных носителей заряда и удельного сопротивления в пластинах и слитках монокристаллического кремния
    ^*Научно-производственная фирма "Электрон" (Красноярск), Россия
    ^**Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр СО РАН (Красноярск), Россия
    
14. Волкова Л.С.^*, Гришин Т.С.^**, Поляков М.В.^***
    Особенности подготовки образцов современных СБИС для ПЭМ-исследований
    ^*Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Москва), Россия
    ^**Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Москва), Россия
    ^***Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Москва), Россия
    
15. Воронова Н.В.^*, Анисимкин В.И., Горнев Е.С.^**, Тельминов О.А.^***
    Кремниевый датчик микрокапель летучих жидкостей
    ^*АО "НИИМЭ" (Москва), Россия
    ^**Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва, Зеленоград), Россия
    ^***АО "НИИМЭ" (Москва), Россия
    
16. Галкин Н.Г.^*, Галкин К.Н., Субботин Е.Ю.^*, Горошко Д.Л.^*, Маслов А.М.^*, Чернев И.М.^*, Балаган С.А.^*, Кропачев О.В.^*, Горошко О.А.^*, Доценко С.А.^*
    Двумерные пленки моносилицидов Fe и Cr на кремнии для термоэлектроники и спинтроники
    ^*Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток), Россия
    
17. Гисматулин А.А.^*, Камаев Г.Н., Володин В.А.^**, Гриценко В.А.^*
    Механизм транспорта заряда в бесформовочном мемристоре на основе оксинитрида кремния
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^**ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
18. Голубев О.Л.^*
    Закономерности конденсации слоев кремния на вольфраме при различных условиях на поверхности
    ^*Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской Академии наук (Санкт-Петербург), Россия
    
19. Гоник М.А.^*
    К выращиванию крупногабаритных монокристаллов кремния модифицированными методами Чохральского и плавающей зоны
    ^*Центр материаловедения "Фотон" (Александров), Россия
    
20. Гончарова А.В.^*, Василевский П.Н.^**
    Нелинейно-оптический ограничитель излучения для сенсорной защиты органов зрения
    ^*НИИ молекулярной электроники (Москва), Россия
    ^**Московский институт электронной техники (Зеленоград), Россия
    
21. Горохов С.А.^*, Патюков С.И., Черняев М.В., Резванов А.А.
    Низкотемпературное окисление кремния с использованием генератора озона
    ^*АО "НИИМЭ" (Зеленоград), Россия
    
22. Горячев А.В.^*, Дудин А.А.^*, Кириленко Е.П.^*, Рудаков Г.А.^*
    Анализ межслойных границ раздела тонких пленок Ti и его соединений методом оже-электронной спектроскопии
    ^*Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Москва), Россия
    
23. Горячев А.В.^*, Кириленко Е.П.^*
    Определение концентрации фтора в тонких пленках фторсодержащего силикатного стекла
    ^*Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Москва), Россия
    
24. Гришин Т.С.^*, Волкова Л.С.^**
    Формирования массивов Ag наночастиц на поверхности SiO2: АСМ-исследование
    ^*Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Москва), Россия
    ^**Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Москва), Россия
    
25. Гурьянов А.М.^*, Гурьянов С.А.^**
    Генерационные процессы в кремниевых МДП-структурах с наноразмерными диэлектрическими слоями оксидов редкоземельных элементов
    ^*Самарский государственный технический университет (Самара), Россия
    ^**Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана (Москва), Россия
    
26. Данилов Д.В.^*, Маслова Н.А.^*, Вывенко О.Ф.^*, Скуратов В.А.^**, Володин В.А.^***
    Комплексы собственных точечных дефектов, сформированные в кремнии бомбардировкой высокоэнергетичными ионами Xe+ и последующим отжигом
    ^*Санкт-Петербургский государственный университет (Санкт-Петербург), Россия
    ^**Объединенный институт ядерных исследований (Дубна), Россия
    ^***ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
27. Емцев К.В.^*, Абрамов А.С.^*, Шелопин Г.^*, Орехов Д.Л.^*, Сайкин Д.^**, Яковлев В.^**, Няпшаев И.А.^***, Шахрай И.С.
    Кремний в производстве гетероструктурных солнечных элементов: аспекты качества материала и повышения эффективности солнечных ячеек
    ^*НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике (Санкт-Петербург), Россия
    ^**ООО Хевел (Новочебоксарск), Россия
    ^***НТЦ ТПТ (Санкт-Петербург), Россия
    
28. Есин М.Ю.^*, Дерябин А.С.^*, Колесников А.В.^*, Никифоров А.И.^*
    Формирование ступенчатой поверхности Si(100) при росте Si и смачивающего слоя Ge
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
29. Ефимченко В.С.^*, Короткова М.А.^*, Мелетов К.П.^*, Сухинина Н.С.^*, Масалов В.М.^*, Емельченко Г.А.^*
    Создание наноразмерных контейнеров молекулярного водорода из диоксида кремния
    ^*Институт физики твердого тела РАН (Черноголовка), Россия
    
30. Жанаев Э.Д.^*, Антонов В.А.^*, Калугин А.П.^*, Попов В.П.^*, Лукьянова И.Ю.^**, Мяконьких A.В., Рогожин А.Е.^***, Руденко К.В.^****
    КНИ нанопроволочные транзисторы до и после химического утончения кремния и его диоксида
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^**Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    ^***Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (Москва), Россия
    ^****Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    
31. Жарова Ю.А.^*, Ермина А.А.^**, Большаков В.О.^**, Пригода К.В.^**, Марков Д.П.^**
    Исследование процесса внедрения наночастиц Ag в c-Si при высокотемпературной обработке
    ^*ФТИ им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
    ^**ФТИ им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург), Россия
    
32. Жукавин Р.^*
    Времена релаксации возбужденных состояний двухзарядных доноров в кремнии
    ^*ИФМ РАН (Нижний Новгород), Россия
    
33. Зайцев А.В.^*, Аношин О.С.^**
    Получение высокочистого поликристаллического кремния методом CVD из моносилана и высокоомного монокристаллического кремния методом БЗП
    ^*АО "НПП "Салют" (Нижний Новгород), Россия
    ^**АО НПП Салют (Нижний Новгород), Россия
    
34. Захожев К.Е.^*, Рогило Д.И.^*, Пономарев С.А.^**, Гутаковский А.К.^*, Курусь Н.Н., Щеглов Д.В., Милехин А.Г., Латышев А.В.^*, Кох К.А.^***
    Рост SnSe2, инициированный кристаллизацией тонкого аморфного слоя на поверхностях Bi2Se3(0001) и Si(111)
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^**Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
    ^***Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН (Новосибирск), Россия
    
35. Зорина М.В.^*, Михайленко М.С.^**, Пестов А.^***, Перекалов А.А.^*
    Формирование антиотражающей структуры на поверхности монокристаллического кремния ускоренными ионами инертных газов
    ^*ИФМ РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^**ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН - филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН) EN (Нижний Новгород), Россия
    ^***ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН - филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН) EN (Нижний Новгород), Россия
    
36. Ивлев К.Е.^*, Князев Е.В.
    Сорбционные свойства макропористого кремния, сформированного на слаболегированном n-Si при фотоанодировании
    ^*Омский научный центр СО РАН (Омск), Россия
    
37. Калядин А.Е.^*, Соболев Н.А.^**
    Светодиоды с дислокационной люминесценцией в кремнии, содержащем кислородные преципитаты
    ^*Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
    ^**Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург), Россия
    
38. Камаев Г.Н., Новиков Ю.Н.^*, Володин В.А., Просвирин И.П., Гриценко В.А.^*
    Ближний порядок и резистивные переключения в диэлектрических плёнках нестехиометрического состава на основе кремния
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
39. Карасев П.А.^*, Карасев К.П.^*, Титов А.И.^*, Стрижкин Д.А.^*, Федоренко Е.Д.^*, Пуха В.Е.^**
    Модификация поверхности кремния облучением ускоренными ионами С60
    ^*С.-Петербургский Политехнический университет Петра Великого (Санкт-Петербург), Россия
    ^**ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН (Черноголовка), Россия
    
40. Кацюба А.В.^*, Ван Ю., Двуреченский А.В., Камаев Г.Н., Володин В.А.
    Получение пленок CaSi2 с планарной поверхностью выращенных методом радиационного воздействия на структуру CaF2\Si(111)
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
41. Керсновский Е.С.^*, Барков К.А.^**, Польшин И.В.^***, Нестеров Д.Н.^****, Ивков С.А.^*****, Терехов В.А., Ситников А.В.
    Влияние содержания меди на электронное строение ионно-лучевых пленок Cu-Si
    ^*ФГБОУ ВО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
    ^**ФГБОУ ВО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
    ^***Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
    ^****Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
    ^*****ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
    
42. Ким К.Б.^*, Черненко С.С.^*, Нифталиев С.И.^*, Чукавин А.И.^**, Леньшин А.С.^***
    Осаждение пленки SnOx на пористом кремнии методом вакуумно-термического напыления
    ^*ВГУИТ (Воронеж), Россия
    ^**УдмФИЦ УРО РАН (Воронеж), Россия
    ^***ВГУИТ, ВГУ (Воронеж), Россия
    
43. Кобелева С.П.^*, Юрчук С.Ю.^*
    Диффузия легирующих примесей в кремнии и германии
    ^*НИТУ "МИСиС"
    
44. Ковешников С.В.^*, Солтанович О.А.^*, Егоров В.К.
    Влияние быстродиффундирующих примесей на процессы формирования инверсного слоя в МОП-структурах Al/SiO2/Si
    ^*Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия
    
45. Козко И.^*, Максим Р.^**, Федина С.^*, Гридчин В.^*, Вячеславова Е.^*, Кондратьев В.^***, Большаков А.Д.^***, Карасева Е.П.^*
    Флуоресцентные свойства наноструктур на основе нитевидных нанокристаллов кремния, а также соединений III-V и II-VI
    ^*Академический университет (Санкт-Петербург), Россия
    ^**Университет ИТМО (Санкт-Петербург), Россия
    ^***Московский физико-технический институт (Национальный исследовательский университет) (Долгопрудный), Россия
    
46. Колесников А.В.^*, Никифоров А.И.^*, Фрицлер К.Б.^*, Дерябин А.С.^*, Лошкарев И.Д., Соколов Л.В., Певчих К.Э., Чистохин И.Б.
    Исследование структурного качества эпитаксиальных пленок германия на кремнии
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
47. Кологриев К.А.^*, Нехамин С.М.^**
    Моделирование процесса получения металлического кремния.
    ^*ООО "НПФ КОМТЕРМ" (Москва), Россия
    ^**НИУ "Московский энергетический институт", ООО "НПФ КОМТЕРМ" (Москва), Россия
    
48. Коротаев А.Г.^*, Кукенов О.И.^*, Дирко В.В.^*, Лозовой К.А.^*, Коханенко А.П.^*
    Влияние смены механизма роста на формирование удлиненных квантовых точек германия на кремнии
    ^*Томский государственный университет (Томск), Россия
    
49. Курбаков А.И.^*
    Уникальный метод контроля качества высокосовершенных монокристаллов кремния большого диаметра с применением динамической дифракции высокоэнергетического гамма/синхротронного излучения
    ^*НИЦ "Курчатовский институт"- Петербургский институт ядерной физики (Гатчина), Россия
    
50. Латухина Н.В.^*, Нестеров Д.А.^*, Услин Д.А.^*
    Структуры на базе пористого кремния для фотоэлектрических преобразователей
    ^*Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королёва (Самара ), Россия
    
51. Леньшин А.С.^*, Черненко С.С., Черноусова О.В., Минаков Д.А.
    Особенности формирования и свойства многослойного пористого кремния
    ^*ВГУИТ, ВГУ (Воронеж), Россия
    
52. Лозовой К.А.^*, Дирко В.В.^*, Кукенов О.И.^*, Коханенко А.П.^*
    Режимы эпитаксиального выращивания кремния и германия на графите
    ^*Томский государственный университет (Томск), Россия
    
53. Манцурова С.В.^*, Шварц Н.Л.^*
    Контролируемый рост кремниевых нанопроволок на поверхностях Si (011) и (100) (Моделирование методом Монте-Карло)
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
54. Матюшкин И.В.^*, Тельминов О.А.^**
    Коннекционистская модель замороженной фотопроводимости и динамики фототока для датчика УФ-излучения на основе матрицы наностержней ZnO
    ^*АО «НИИМЭ» (Москва), Россия
    ^**АО "НИИМЭ" (Москва), Россия
    
55. Мизгинов Д.С.^*, Тельминов О.А.^**, Горнев Е.С.^*
    Анализ современного состояния мемристорных структур на основе оксида галлия, изготовленных на кремниевой подложке
    ^*Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва, Зеленоград), Россия
    ^**АО "НИИМЭ" (Москва), Россия
    
56. Михайленко М.С.^*, Зорина М.В.^**, Пестов А.^***, Чхало Н.И.^***
    Изучение формирующегося нарушенного слоя в монокристаллическом кремнии и его влияние на поведение шероховатости поверхности в процессе ионного травления
    ^*ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН - филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН) EN (Нижний Новгород), Россия
    ^**ИФМ РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^***ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН - филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН) EN (Нижний Новгород), Россия
    
57. Немчинова Н.В.^*
    Шлаки кремниевого производства: свойства, строение, переработка
    ^*Иркутский национальный исследовательский технический университет (Иркутск ), Россия
    
58. Нехамин С.М.^*
    Новые аппаратные и технологические возможности получения кремния высокой чистоты
    ^*НИУ "Московский энергетический институт", ООО "НПФ КОМТЕРМ" (Москва), Россия
    
59. Новиков А.В.^*, Юрасов Д.В.^**, Демидов Е.В., Ежевский А.А., Шалеев М.В., Дроздов М.Н., Буланов А.Д., Трошин О.Ю., Ревин Л.С., Панкратов А.Л., Антонов А.В., Красильникова Л.В., Шмврин Д.А., Ситников С.В., Щеглов Д.В., Красильник З.В.
    SiGe гетероструктуры для квантовых вычислений
    ^*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^**Институт физики микроструктур РАН - филиал ФИЦ Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН (Нижний Новгород), Россия (д. Афонино), Россия
    
60. Осипов А.А.^*
    Технология формирования массива кремниевых структур в субмикронном диапазоне
    ^*Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого (Санкт-Петербург), Россия
    
61. Памирский И.Э.^*, Голохваст К.С.^**
    Аморфный диоксид кремния из растений
    ^*Сибирский научный исследовательский институт сельского хозяйства и торфа (Томск ), Россия
    ^**Сибирский Федеральный Научный Центр Агробиотехнологий (Томск ), Россия
    
62. Перетокин А.В.^*, Степихова М.В.^**, Новиков А.В.^***, Юрасов Д.В.^****, Дьяков С.А.^*****
    Управление зонной структурой и люминесцентным откликом двумерных фотонных кристаллов с наноостровками Ge(Si)
    ^*Институт физики микроструктур РАН (д. Афонино, Нижегородская область), Россия
    ^**Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^****Институт физики микроструктур РАН - филиал ФИЦ Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН (Нижний Новгород), Россия (д. Афонино), Россия
    ^*****Сколтех (Москва), Россия
    
63. Пестов А.^*, Ахсахалян А.А.^**, Волков П.В.^*, Зорина М.В.^***, Лопатин А.Я.^*, Михайленко М.С.^****, Чернышев А.К.^*, Чхало Н.И.^*, Юнин П.А.^*****, Гордеев С.К.^******
    Алмазокарбидокремниевый композит “скелетон” с технологическим покрытием из поликристаллического кремния, как перспективный материал для подложек рентгеновских зеркал, работающих под мощными пучками СИ
    ^*ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН - филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН) EN (Нижний Новгород), Россия
    ^**ИФМ РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^***ИФМ РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^****ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН - филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН) EN (Нижний Новгород), Россия
    ^*****Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^******ЦНИИ Материалов (Санкт-Петербург), Россия
    
64. Пестов А.^*, Зорина М.В.^**, Михайленко М.С.^***, Чернышев А.К.^*
    Коррекция формы поверхности кристалла-монохроматора из монокристаллического кремния (110)
    ^*ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН - филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН) EN (Нижний Новгород), Россия
    ^**ИФМ РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^***ИНСТИТУТ ФИЗИКИ МИКРОСТРУКТУР РАН - филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИФМ РАН) EN (Нижний Новгород), Россия
    
65. Пидченко М.Б.^*, Эрвье Ю.Ю.^*, Филимонов С.Н.^*
    Ab initio расчеты энергий адсорбции атома кремния в изломах на моноатомной ступени на поверхности Si(100)
    ^*Томский государственный университет (Томск), Россия
    
66. Польшин И.В.^*, Барков К.А.^**, Керсновский Е.С.^***, Терехов В.А., Нестеров Д.Н.^****, Ивков С.А.^*****, Ситников А.В.
    Исследование структуры и фазового состава нанокомпозитных пленок Cu-Si, полученных ионно-лучевым распылением
    ^*Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
    ^**ФГБОУ ВО "Воронежский государственный университет" (Воронеж), Россия
    ^***ФГБОУ ВО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
    ^****Воронежский государственный университет (Воронеж), Россия
    ^*****ГОУ ВПО "Воронежский Государственный Университет" (Воронеж), Россия
    
67. Поляков М.В.^*, Волкова Л.С.^**, Ковалев Д.С., Рогачев А.С.
    Влияния технологических параметров магнетронного распыления на структуру и свойства пленок высокоэн-тропийного сплава системы CoCrFeNiTi
    ^*Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Москва), Россия
    ^**Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук (Москва), Россия
    
68. Пономарев С.А.^*, Курусь Н.Н., Рогило Д.И.^**, Латышев А.В.^**, Голяшов В.А., Миронов А.Ю., Милехин А.Г., Щеглов Д.В.
    Фазовый переход с температурным гистерезисом в пленках In2Se3/Si(111)
    ^*Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
    ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
69. Попов В.П.^*, Тарков М.С., Тысченко И.Е., Мяконьких А.В., Руденко К.В.
    Нigh-k КНИ структуры с ультратонкими слоями кремния, оксидов и нитридов металлов для энергоэффективной электроники
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
70. Попов И.В.^*, Антонов В.А.^*, Руденко К.В.^**, Тысченко И.Е.^*, Попов В.П.^*
    Получение тонких пленок кремния методом анодного окисления
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^**Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    
71. Романова Н.К.^*
    Развитие технологии нейтронно-трасмутационного легирования кремния на реакторе ВВР-К
    ^*РГП на пхв Институт Ядерной Физики МЭ РК (Алматы), Казахстан
    
72. Рощин В.Е.^*, Рощин А.В.^*
    Опыт получения чистых металлов селективным восстановлением катионов в твёр-дых комплексных оксидах
    ^*Южно-Уральский государственный университет (НИУ) (Челябинск), Россия
    
73. Руденко К.В.^*, Антонов В.А.^**, Попов В.П.^**, Ломов А.А.^***, Мяконьких А.В.^***
    Свойства КНИ и КНС структур с High-K сегнетоэлектриком до и после FA - RTA обработок и утончения кремния термоокислением
    ^*Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^***Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
    
74. Руль Н.И.^*, Романов В.В.^*, Веневцев И.Д.^*, Баграев Н.Т.^**, Кукушкин С.А.^***, Королев А.В.^****
    Магнетизм структур SiC, выращенных на поверхности Si
    ^*Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого (Санкт-Петербург), Россия
    ^**Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
    ^***Институт проблем машиноведения РАН (Санкт-Петербург), Россия
    ^****Институт физики металлов УрО РАН (Екатеринбург), Россия
    
75. Сахаров А.В.^*
    Упругие напряжения при росте гетероструктур на основе GaN на кремниевых подложках
    ^*Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург), Россия
    
76. Семенова О.И.^*
    Гибридные перовскиты - прогресс в кремниевой фотовольтаике
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
77. Содиков У.Х.^*
    Бинарные примесные атомы в кремнии
    ^*Ташкентский государственный технический университет имени Ислама Каримова (Taшкент), Узбекистан
    
78. Соловьев А.А.^*, Певцов Е.Ф.^*
    Логические вентили на основе МЭМС резонаторов
    ^*МИРЭА-Российский технологический университет (Москва), Россия
    
79. Степихова М.В.^*, Шаров С.А.^**, Вербус В.А.^*, Петров М.И.^***, Михайловский М.С.^***, Смагина Ж.В., Зиновьев В.А.^****, Родякина Е.Е., Новиков А.В.^*****
    Особенности люминесцентного отклика низкоразмерных дисковых резонаторов и их массивов, сформированных на кремниевых структурах Ge(Si)
    ^*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^**Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
    ^***университет ИТМО (Санкт-Петербург), Россия
    ^****Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^*****Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    
80. Сы Ч.^*, Тысченко И.Е.^**, Баталов Р.И.^***, Володин В.А.^****, Попов В.П.^**, Шмелев А.Г., Черкова С.Г.
    Фотолюминесценция в видимом спектральном диапозоне пленок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+
    ^*Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^***Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Казань), Россия
    ^****ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
81. Ташмухамедова Д.А.^*, Умирзаков Б.Е.^*, Эргашов Ё.С.^**, Юсупжанова М.Б.^***, Гулямова С.^*, Абдиев Х.Э.^****
    Электронные свойства ультратонких пленок PdSi/Si
    ^*Ташкентский государственный технический университет (Taшкент), Узбекистан
    ^**Национальный Университет Узбекистана (Ташкент), Узбекистан
    ^***Ташкентский государственный технический университет (Taшкент), Узбекистан
    ^****Ташкентский государственный технический университет (Taшкент), Узбекистан
    
82. Титова А.М.^*, Шенгуров В.Г.^*, Денисов С.А.^*, Зайцев А.^*, Бузынин Ю.Н.^*, Чалков В.Ю.^*, Алябина Н.А.^*, Трушин В.Н.^*, Нежданов А.В.^*
    Гетероэпитаксиальный рост родственных с оловом материалов IV группы на Si основе методом МЛЭ с газовым источником, усиленным горячей нитью
    ^*Научно-исследовательский институт химии Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
    
83. Тихоненко Ф.В., Антонов В.А., Калугин А.П., Попов В.П.^*, Тысченко И.Е., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Тихоненко Ф.В.^*
    Стабильность сегнетоэлектрических свойств нанослоев оксидов гафния-циркония с алюминием в МОП транзисторах
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
84. Трусов М.А.^*, Козодаев Д.А.^*, Нестеров С.И.^*, Комарова С.О.^*
    Новые научные инструменты для наномасштабных исследований современных материалов и диагностики наноструктур
    ^*ООО «АКТИВНАЯ ФОТОНИКА» (Зеленоград), Россия
    
85. Тысченко И.Е.^*, Попов И.В.^*, Антонов В.А.^*, Спесивцев Е.В.
    Анодное окисление структур кремний-на-изоляторе
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
86. Уткин Д.Е.^*, Шкляев А.А.^*, Царев А.В., Латышев А.В.^*
    Особенности отражения света от упорядоченных в решётку частиц Ge: влияние размера и периода
    ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
87. Федина Л.И.^*, Гутаковский А.К.^**
    О проблеме идентификации типа дислокаций в Si и способах ее решения
    ^*Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
    ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
88. Хазанова С.В.^*
    Численный расчет коэффициента преломления в квантовых ямах на основе Ge/SiGe для проектирования модуляторов Маха-Цендера
    ^*Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского (Нижний Новгород), Россия
    
89. Червонный Д.В.^*
    Сравнение времени хранения ячеек энергонезависимой памяти SONOS N и P - типа посредством экстраполяционного метода
    ^*Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (Зеленоград), Россия
    
90. Чжан Ж.^*, Тысченко И.Е.^**, Гутаковский А.К.^**, Вдовин В.И.^**, Володин В.А.^**, Попов В.П.^**
    Ионно-лучевой синтез нанокристаллов InSb на границе раздела Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе: эволюция оптических свойств и деформационные характеристики
    ^*Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
91. Чэн Ю.^*, Камаев Г.Н.^**, Попов А.А.^***, Володин В.А.^****
    Эффекты переключения сопротивления в структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния с включениями нанослоёв германия
    ^*Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
    ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    ^***ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН (Ярославль), Россия
    ^****ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
92. Эпов И.В.^*, Резник А.Ю.
    Разработка отечественной UHF-микросхемы для применения в области радиочастотных меток
    ^*АО "НИИМЭ" (Зеленоград), Россия
    
93. Эрвье Ю.Ю.^*
    Модель формирования структурных единиц в изломах моноатомных ступеней на поверности Si(100)
    ^*Томский государственный университет (Томск), Россия
    
94. Юрасов Д.В.^*, Перетокин А.В.^**, Новиков А.В.^***, Родякина Е.Е., Смагина Ж.В., Шалеев М.В., Шенгуров Д.В.
    Формирование и исследование оптических свойств фотонных кристаллов в структурах на основе толстых слоев Ge/SOI
    ^*Институт физики микроструктур РАН - филиал ФИЦ Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН (Нижний Новгород), Россия (д. Афонино), Россия
    ^**Институт физики микроструктур РАН (д. Афонино, Нижегородская область), Россия
    ^***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    
95. Яблонский А.Н.^*, Новиков А.В., Юрасов Д.В.^**, Захаров В.Е.^***, Шмагин В.Б.^***, Перетокин А.В.^****, Степихова М.В.^*****, Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Морозова Е.Е.^***, Дьяков С.А.^******, Родякина Е.Е.^*******, Смагина Ж.В.^*******
    Cпектроскопия фото- и электролюминесценции SiGe наноструктур с двумерными фотонными кристаллами
    ^*Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^**Институт физики микроструктур РАН - филиал ФИЦ Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН (Нижний Новгород), Россия (д. Афонино), Россия
    ^***Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^****Институт физики микроструктур РАН (д. Афонино, Нижегородская область), Россия
    ^*****Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород), Россия
    ^******Сколтех (Москва), Россия
    ^*******Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
    
96. Якимов Е.Б.^*
    Перспективы кремния в качестве преобразователя бетавольтаического элемента
    ^*ИПТМ РАН (Черноголовка), Россия
    
97. Якимов Е.Б.^*
    Ультраширокозонный Ga2O3 как альтернатива кремнию для силовой электро-ники
    ^*ИПТМ РАН (Черноголовка), Россия