Одним из способов получения полупроводников для нужд микроэлектроники, приборов высокой мощности, оптоэлектроники, транспортной отрасли и быстроразвивающейся солнечной энергетики может быть реализован на основе технологии нейтронно-трансмутационного легирования кремния и германия.
Важным требованием при облучении монокристаллического кремния является равномерность легирования по объему слитка, что и является преимуществом нейтронного легирования, так как большинство существующих методов не могут обеспечить требуемого уровня однородности распределения легирующей примеси в объеме слитка. Особенно это касается монокристаллов кремния больших размеров (от 150 до 300 мм в диаметре).
Для слитков кремния диаметром до 150 мм и до 300 мм были разработаны облучательные устройства. В первом случае, облучательное устройство представляет собой капсулу на внешней поверхности, которой располагались кадмиевые кольца разной толщины и на разном расстоянии. Во втором случае, облучательное устройство состояло из профилирующего экрана.