Асеев А.Л. Гейдт П.В.
Кремниевая микроэлектроника: современное состояние и перспективы развития, методы диагностики
Докладчик: Асеев А.Л.
На основе результатов состоявшихся 2023 году IX Всероссийского форума «Микроэлектроника-2023» и Общего собрания РАН [1] представлен анализ современных достижений и перспектив развития кремниевой микро- и наноэлектроники. Показано, что прогресс в области освоения нанометровых размеров транзисторов вместе с переходом к новым конструкциям полевых транзисторов, таких как нанолистовые или нанополосковые транзисторы с круговым затвором, новым технологиям их пространственного расположения («вертикализация»), применением новых материалов и совершенствованием нанолитографических машин приведет к преодолению ограничений, накладываемых законом Мура [1, 2], многократному увеличению счетной мощности полупроводниковых микросхем и создаст качественно новые возможности в развитии компактных систем искусственного интеллекта и к кардинальным изменениям в структуре экономики и социальных отношений в ближайшем будущем. Ожидается, что прогресс в развитии квантовых и фотонных вычислителей значительно расширит возможности классических микроэлектронных технологий как по производительности и защищенности вычислений (квантовые технологии), так и в снижении энергетических затрат (фотонные технологии) [1]. Представлена информация о программах Правительства РФ по разработке специальных материалов микроэлектроники, электронному машиностроению, программному обеспечению и подготовке кадров.
Рассматривается современное состояние работ по созданию устройств электронной памяти на мемристорах, устройств солнечной энергетики и силовой электроники на кремнии, болометрических фотоприемников, биосенсоров и акустоэлектронных устройств [2, 3].
В докладе приведена информация о возможностях Аналитического и технологического исследовательского центра физического факультета НГУ [3].
1. Красников Г.Я., Выступление на открытии IX Всероссийского форума «Микроэлектроника-2023», Сочи, 10-13 ноября 2023 г.; Выступление на Общем собрании РАН, Москва, 12-13 декабря 2023 г.
2. Асеев А.Л., Полупроводники и нанотехнологии, Учебное пособие, 2023, изд. ИПЦ НГУ, 144 С.
3. Гейдт П. В., Аржанников А. В., Асеев А. Л., Шкляев А.А., Володин В.А., Азаров И.А., Зайковский В.И., Уткин Д.Е., Ларичев Ю.В., Чепкасов С.Ю., Кузнецов С.А. Аналитический и технологический исследовательский центр «Высокие технологии и наноструктурированные материалы» ФФ НГУ: история, становление и достигнутые результаты // Сибирский физический журнал, 2022. Т.17. № 3. С. 66–88.
К списку докладов