Захожев, Константин Евгеньевич
ИнженерИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Захожев К.Е.*, Рогило Д.И.*, Пономарев С.А.**, Гутаковский А.К.*, Курусь Н.Н., Щеглов Д.В., Милехин А.Г., Латышев А.В.*, Кох К.А.***
Рост SnSe2, инициированный кристаллизацией тонкого аморфного слоя на поверхностях Bi2Se3(0001) и Si(111)
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
***Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН (Новосибирск), Россия