Тихоненко, Ф. В.

Доклад

• Тихоненко Ф.В., Антонов В.А., Калугин А.П., Попов В.П.^*, Тысченко И.Е., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Тихоненко Ф.В.^*
  Стабильность сегнетоэлектрических свойств нанослоев оксидов гафния-циркония с алюминием в МОП транзисторах
  ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия