Егоров, В. К.

Доклад

• Ковешников С.В.^*, Солтанович О.А.^*, Егоров В.К.
  Влияние быстродиффундирующих примесей на процессы формирования инверсного слоя в МОП-структурах Al/SiO2/Si
  ^*Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (Черноголовка), Россия