Кох, Константин Александрович

Доклад

• Захожев К.Е.^*, Рогило Д.И.^*, Пономарев С.А.^**, Гутаковский А.К.^*, Курусь Н.Н., Щеглов Д.В., Милехин А.Г., Латышев А.В.^*, Кох К.А.^***
  Рост SnSe2, инициированный кристаллизацией тонкого аморфного слоя на поверхностях Bi2Se3(0001) и Si(111)
  ^*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
  ^**Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
  ^***Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН (Новосибирск), Россия