Голяшов, В. А.

Доклад

• Пономарев С.А.^*, Курусь Н.Н., Рогило Д.И.^**, Латышев А.В.^**, Голяшов В.А., Миронов А.Ю., Милехин А.Г., Щеглов Д.В.
  Фазовый переход с температурным гистерезисом в пленках In2Se3/Si(111)
  ^*Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирcк), Россия
  ^**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия