Жанаев, Эрдэм Дашацыренович
Ведущий инженерИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66, Факс: +7(383) 333-27-71
Доклад
- Жанаев Э.Д.*, Антонов В.А.*, Калугин А.П.*, Попов В.П.*, Лукьянова И.Ю.**, Мяконьких A.В., Рогожин А.Е.***, Руденко К.В.****
КНИ нанопроволочные транзисторы до и после химического утончения кремния и его диоксида
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
***Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (Москва), Россия
****Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия