Попов, Владимир Павлович
Заведующий лабораторией, Доктор физико-математических наук
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66,
Факс: +7(383) 333-27-71
Список докладов
- Антонов В.А., Калугин А.П., Попов В.П.*, Мяконьких A.В., Руденко K.В., Скуратов В.А.**, Скуратов В.А.**, ОКоннелл Ж.***
Дефекты в кремнии-на-сапфире с прослойкой HfO2:Al2O3 после облучения быстрыми ионами Xe и Bi
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Объединенный институт ядерных исследований (Дубна), Россия
***Университет Нельсона Манделы (Саммерстренд), Южно-Африканская Республика
- Жанаев Э.Д.*, Антонов В.А.*, Калугин А.П.*, Попов В.П.*, Лукьянова И.Ю.**, Мяконьких A.В., Рогожин А.Е.***, Руденко К.В.****
КНИ нанопроволочные транзисторы до и после химического утончения кремния и его диоксида
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
***Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (Москва), Россия
****Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
- Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Руденко К.В.**, Тысченко И.Е.*, Попов В.П.*
Получение тонких пленок кремния методом анодного окисления
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
- Руденко К.В.*, Антонов В.А.**, Попов В.П.**, Ломов А.А.***, Мяконьких А.В.***
Свойства КНИ и КНС структур с High-K сегнетоэлектриком до и после FA - RTA обработок и утончения кремния термоокислением
*Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
***Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
- Тихоненко Ф.В., Антонов В.А., Калугин А.П., Попов В.П.*, Тысченко И.Е., Мяконьких А.В., Руденко К.В., Тихоненко Ф.В.*
Стабильность сегнетоэлектрических свойств нанослоев оксидов гафния-циркония с алюминием в МОП транзисторах
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
- Сы Ч.*, Тысченко И.Е.**, Баталов Р.И.***, Володин В.А.****, Попов В.П.**, Шмелев А.Г., Черкова С.Г.
Фотолюминесценция в видимом спектральном диапозоне пленок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+
*Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
***Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Казань), Россия
****ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
К списку участников