Тысченко, Ида Евгеньевна
Ведущий научный сотрудник, Доктор физико-математических наук
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66,
Факс: +7(383) 333-27-71
Список докладов
- Тысченко И.Е.*, Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Спесивцев Е.В.
Анодное окисление структур кремний-на-изоляторе
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
- Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Руденко К.В.**, Тысченко И.Е.*, Попов В.П.*
Получение тонких пленок кремния методом анодного окисления
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
- Сы Ч.*, Тысченко И.Е.**, Баталов Р.И.***, Володин В.А.****, Попов В.П.**, Шмелев А.Г., Черкова С.Г.
Фотолюминесценция в видимом спектральном диапозоне пленок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+
*Новосибирский государственный университет (Новосибирcк), Россия
**Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
***Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского КазНЦ РАН (Казань), Россия
****ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
К списку участников