Попов, Игорь Владимирович
Студент
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
http://www.isp.nsc.ru/
Россия, 630090, Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева, 13
Телефон: +7(383) 333-27-66,
Факс: +7(383) 333-27-71
Список докладов
- Тысченко И.Е.*, Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Спесивцев Е.В.
Анодное окисление структур кремний-на-изоляторе
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
- Попов И.В.*, Антонов В.А.*, Руденко К.В.**, Тысченко И.Е.*, Попов В.П.*
Получение тонких пленок кремния методом анодного окисления
*Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск), Россия
**Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН (Москва), Россия
К списку участников